Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rate600000 IOPSMaximum Random Write Rate600000 IOPSMaximum Sequential Read Rate3500 MB/sMaximum Sequential Write Rate2600 MB/sTotal Bytes Written (TBW)640 TBTimpul presupus intre caderi1800000 hSolid State Drive FeaturesS.
M.
A.
R.
T.
TRIM Support NVMe Support Halogen FreeToleranta la soc in mod operare1500G @ 0.5msConsumul maxim de energie5.3 WTemperatura ambiantă maximă de funcționare70 °CTemperatura ambiantă minimă de funcționare0 °CTemperatura ambiantă maximă nefuncțională85 °CTemperatura ambiantă minimă nefuncțională-40 °CLățime (mm)22.15 mmÎnălțime (mm)2.23 mmAdâncime (mm)80.15 mmGaranția produselelor returnabileDaTermen de garanție (o lună)36 luna(i)Criteriile de validare a garanțieiNumăr de serieGreutatea brută a ambalajului (kg)0.008 kgBucăți în ambalaj1Greutatea brută a cutiei(kg)0.008 kgAmbalaje în cutie1Tipul ambalajuluiRetailCodul EAN8719706434591.
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rate600000 IOPSMaximum Random Write Rate600000 IOPSMaximum Sequential Read Rate3500 MB/sMaximum Sequential Write Rate2600 MB/sTotal Bytes Written (TBW)640 TBTimpul presupus intre caderi1800000 hSolid State Drive FeaturesS.
M.
A.
R.
T