Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate480000 IOPSMaximum Random Write Rate750000 IOPSMaximum Sequential Read Rate5000 MB/sMaximum Sequential Write Rate3200 MB/sTotal Bytes Written (TBW)450 TBTimpul presupus intre caderi1800000 hSolid State Drive FeaturesS.
M.
A.
R.
T.
TRIM SupportToleranta la soc stocare1500G @ 0.5msConsumul maxim de energie3.8 WTemperatura ambiantă maximă de funcționare70 °CTemperatura ambiantă minimă de funcționare0 °CTemperatura ambiantă maximă nefuncțională85 °CTemperatura ambiantă minimă nefuncțională-40 °CLățime (mm)22.15 mmÎnălțime (mm)2.23 mmAdâncime (mm)30.15 mmGaranția produselelor returnabileDaTermen de garanție (o lună)60 luna(i)Criteriile de validare a garanțieiNumăr de serieGreutatea brută a ambalajului (kg)0.07 kgGreutatea netă a ambalajului (kg)0.07 kgBucăți în ambalaj1Greutatea brută a cutiei(kg)0.97 kgAmbalare cu amănuntul Greutate netă a cutiei0.97 kgAmbalaje pentru vânzare cu amănuntul Greutate netă plastic0.027 kgAmbalaje în cutie10Tipul ambalajuluiCutie.
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate480000 IOPSMaximum Random Write Rate750000 IOPSMaximum Sequential Read Rate5000 MB/sMaximum Sequential Write Rate3200 MB/sTotal Bytes Written (TBW)450 TBTimpul presupus intre caderi1800000 hSolid State Drive FeaturesS.
M.
A.
R.
T