Umożliwia zwiększenie obciążalności prądowej wyjść tranzystorowych oraz wprowadza izolację galwaniczną pomiędzy sygnałem wyzwalającym a obciążeniem.
Umożliwia zwiększenie obciążalności prądowej wyjść tranzystorowych oraz wprowadza izolację galwaniczną pomiędzy sygnałem wyzwalającym a obciążeniem